第112章 抢时间（2/2）

现在的最新型號光刻机，是nxt1950i和1960i。

1950i是2008年初的主力型號。

1960i则是asml宣布，明年才会交付的最新型浸没式duv型號，號称解析度到38纳米，套刻精度可以控制在几纳米上下。

做28纳米和后续的14纳米工艺进阶，从参数上说这台机器是最匹配的。

可是28纳米用上一代的1900i甚至再早一点的1700i，在多几个个月的工艺磨合之后同样可以跑通。

几个大佬更是认为，1900i会更好用，原因在於工艺know-how。

工艺know-how，没有什么固定的中文翻译，简单来说，应该就是技术诀窍的意思。

很多人以为买了最先进的光刻机就能做出最先进的晶片，但其实並不是那么简单。

光刻机在整个晶片製造的工序链里只是其中一环，一个28纳米晶片从投片到封装出库大概要经歷五百到八百道工序。

光刻把电路图案投影到硅片上，刻蚀把图案刻进材料里，薄膜沉积在上面镀各种材料层，离子注入改变导电性，化学机械拋光把表面磨平，每道工序之间还有好几轮清洗和量测。

光刻机只负责每一次循环里面的拍照步骤，拍完之后，怎么刻，刻多少。

用什么气体配比，射频功率设置为多少瓦，腔体压力保持在多少毫托，温度控制在几度，刻多长时间，这些东西都需要后续自己的工艺测试。

一套成熟的刻蚀配方可能包含几十个参数，这些参数不是从教科书上能查到的。

每家代工厂的刻蚀机台不同，腔体內部状態不同，靶材组合不同，参数全都要自己摸索。

离子注入的能量窗口，偏了百分之五就可能让最后的閾值电压跑偏。化学机械拋光什么时候该停，不是一个传感器数字就能判断的，是工艺工程师根据几千片硅片的数据积累出来的经验。

最麻烦的是各个工序的互相影响，前一个工序的刻蚀多刻了两纳米，也许这个步骤检测完全合格。

可到了几十个步骤之后，这两纳米的偏差会让离子注入的分布整体偏移。

閾值电压不达標，晶片跑不到目標频率，但没有人能反向定位到具体是哪个步骤出了问题。

这种跨几十道工序的因果链没有任何理论模型能预测，只能靠一轮一轮试出来。

台积电从1987年建厂，积累了二十四年。

每一条参数都是几万片测试晶圆和几十年废片堆出来的，不是买一台最新光刻机能绕过去的。

这也就是为什么中芯和台积电都拥有asml同型號的浸没式光刻机，台积电可以用到做到几纳米的套刻精度，中芯在同一时间也並做不到。同一台机器，不同的工艺know-how，差距就是这么出来的。

邱慈云，季明华和蒋尚义的建议当然没问题，但是陈一然还是拍板，先询问，能不能买最新的。

瓦森纳协定现在只是限制和审核，不是禁止。

1960i，审核速度慢但不被直接拒掉。

再过几年，再想买的话，鬼知道买不买得到。

他这一年可是对科技圈影响巨大，蝴蝶效应之下，后续的歷史进程都不可信了，谁知道哪天就会突然禁运了呢。

现在如果买1900i或者1860i，等万果园的工艺真到了需要最先进浸没式光刻来做14纳米的时候，荷兰那边不卖了，那不是拿著钱干著急吗。

1960i是需要爭取的，最次也要买1950i。

几个老头好像都明白了陈一然的意思，最后都同意了，並且下了保证，一定尽全力攻克技术的。

邱慈云最有意思，他晚上给陈一然发了文件之后，他又打来了电话，开始说经验。

“陈总啊，你现在得开始演戏了，如果想要我们公司更好，你就得利用你现在美国的公司,floweda的名头该用就得用！还要树立你在美国那边的形象！”