第63章 中国面孔（2/2）

“哪是有点名气，你名气不小啊。不过，你怎么搞这个方向了，这个方向不好走啊。”

“写了个框架，感觉適合这个方向，就乾脆试试了。”

周工这会说的不好走，还不是后来中国出现的被卡脖子的问题。

实际上说句难听的，2010 年的中国晶片產业，还不太有被卡脖子的资格。

上辈子关於晶片的新闻天天掛在网上，陈一然本来了解就不少，今天看完展会，算是认知更清晰了。

中芯国际的技术现在也只到了 45 纳米，展讯和锐迪科还只能做做低端功能机的基带，连智慧型手机的边都没摸到，说白了和人家根本比不了一点。

后面得到中芯国际 2016 年 28nm 量產，开始追 14nm ，才能说有点起色。

被中国人觉得很憋屈的中兴，包括孟晚舟在加拿大的遭遇，其实还不是卡脖子行为，只是因为违反了美国人定的出口伊朗的规则被罚，只能说美国人有点霸道。

中芯国际和华为才是真的因为技术发展被卡了脖子，中芯国际尤其惨烈，先进位程全面封锁，出钱订购的 euv 光刻直接没给发货。后来甚至出现了美国公民和绿卡持有者，不得在中芯国际从事任何工作或提供服务的霸道条款。

但这都是后话，现在周工说的路不好走，是因为最近两年是 eda 行业开始慌乱的两年。

摩尔定律还在跑，但工艺量產已经开始打滑，28 纳米门槛变得很高，设计复杂度爆炸。又因为手机晶片的崛起，功耗设计从锦上添花变成了生存问题。

所有的企业，都有一个共识：193nm 浸没式光刻最多撑到 45nm。到 32nm/28nm 必须全面换装 euv 极紫外光刻机。

但是 euv 极紫外光刻机现在连原型机都拿不出来，据说发出来测试的一台光源功率不够，反射镜一照就坏，真空环境根本维持不了。

这导致製造端被迫搞出了双重曝光，鰭式场效应电晶体等各种苟命法门。而这些极其复杂的物理结构，最后全部转化为了 eda 软体必须要解决的数学建模难题。

但是陈一然不太在乎，毕竟他是有掛的，他的解决方案和別人区別太大了。

又和周工隨便聊了几句，陈一然又开始逛展。

一边逛，一边在脑中和茉莉谈著未来的想法。

【从我们这次展会，目前所看到的信息，我觉得我们还是有优势的，就是框架优势。因为中美贸易战的关係，你看了很多相关视频和新闻，我对晶片行业了解的不算少。目前看，我们最好的选择，就是绕过 euv 光刻机。】

“你確定这个可行吗？这不是都说，没有 euv 很难到更小纳米了。我们不能现在抢先吗？真的没办法自己搞出 euv 光刻机吗，你可是外掛来的，给点力啊。我重生之前中国没 euv 光刻机，重生之后还没有，那我不是白重生了吗。”

【虽然 euv 的预生產样机表现非常糟糕，一直到 2012 年台积电三星因特尔一起给 asml 砸钱，投资了几十亿欧元，最终在 2018 年才成功使用到可以用於工业化生產的 euv 光刻机，完成了更高效的 7 纳米的量產。

但是我们截胡的可能性基本为零，euv 光刻机过於复杂，蔡司的镜子，cymer 的光源，一套系统就需要十万个零件五千家供应商。

我无法確定中国的製造业是不是全部都能达標，大概率是全部都无法做到產线级別，小部分能做到实验室级別。就算我们有一些先发优势，和后世的先进观点，我们也不具备全部的整合能力。】

“那怎么搞？总不能真就还被卡脖子吧。”

【上辈子，7 纳米不需要 euv 的方案中芯国际已经完成，如果我们的 eda 工具可以做到极致，可以帮助良率提升更多。3d 封装芯粒也会很有帮助，拼出来的总算力並不低。

计算光刻，这个是我的强项，相信我，可以做出更好的算法。並且由於我们很清楚將要面对什么，我们可以一开始就清晰的选择不需要 euv 的设计方法。

我们可以用架构换工艺，定製架构，专用数据流 ，存內计算，以我现在的认知，我们是可以做到同样电晶体数，算力提升五到十倍的。】

“但是呢，你说了这么多解决方案，太完美了有点不现实。”

【5 纳米需要的线宽和间距已经超过 duv 多曝光的物理极限，所以这是硬性的物理结构上的限制，我们是永远无法达到 3 纳米的。

还有个但是，这些都是我从你上辈子看的视频中得到的信息，我们需要確认这些，最好找一个类似今天的展会学习一下。】

陈一然开始在场內寻找高德伟，作为老油子，他肯定知道要仔细了解製造相关的知识，去哪个展会比较好。