第三章 ：我可以接手！（2/2）
他对kl-02在28nm工艺下的沟道掺杂浓度偏移难题的技术原理和解决路径方案已然了如指掌，就像是他自己亲手解决过这个问题一般。
对上赵知许的目光，韩靖缓缓地开口道：“解决这个问题很简单，引入氮化界面层来抑制硼穿透效应就可以。”
“引入氮化界面层来抑制硼穿透效应？”
会议室中，负责晶片掺杂工艺的李暉思索著问了一句：“能具体讲讲吗？”
李暉的追问，瞬间打破了会议室的死寂。
作为kl-02项目掺杂工艺的核心负责人，他同样为这个难题熬了无数个夜晚，都没能找到突破口。
但韩靖的一句话，像是给陷入死胡同的他，打开了一扇新的大门。
而会议室中，其他人也有些好奇的看向韩靖。
毕竟从李暉的的语气大家都能听出来，这不是在刁难，而是真的被韩靖的话勾起了兴趣。
韩靖点点头，道：“可以。”
停顿了一下，他组织好语言开口道：“kl-02在28nm工艺下的沟道掺杂浓度偏移难题是离子注入过程中的各种物理效应叠加，导致杂质原子没有精准地到达目標位置。”
“除了物理效应，工艺控制偏差同样致命。”
“比如离子注入机的角度稍有偏差、快速热退火（rta）设备內温度分布不均，如中心与边缘差几摄氏度、预非晶化层厚度波动，这些因素叠加，都会导致掺杂浓度在晶圆片內或批次间產生系统性偏移。”
“要解决它，核心在於预非晶化注入、精密角度注入与低温注入。”
“可以通过在pai环节注入si或ge等重离子，预先打乱硅表面晶格形成无序的非晶层，强制后续掺杂离子在浅层停止，从根源上阻断“沟道效应。”
“与此同时，通过將晶圆倾斜一定的角度並同时旋转，使离子偏离主晶轴方向，再结合低温注入，如液氮冷却可有效抑制因扩散造成的rdf，大幅降低vt失配.......最后使沟道掺杂浓度达到平衡！”
会议室中，李暉一边听著韩靖的解决方案，一边在脑海中顺著这份方案模擬思索著。
忽的，他突然眼前一亮，快速地开口道：“氮化步骤通过中温短时处理可以形成高质量的氮氧化硅界面，抑制掺杂剂扩散，提高可靠性。”
“而激活退火则专门用於激活掺杂剂、修復损伤，並使沟道净掺杂浓度达到设计目標值。”
“处理时载流子浓度、缺陷浓度、扩散梯度均处於热力学平衡，器件电学参数稳定且可重复。”
“这套方案说不定真的可行！”
李暉的话语在会议室中爆出，全场顿时一片死寂。
所有人都彻底愣住了，看向韩靖的目光，再也没有了之前的质疑和嘲讽，取而代之的是震惊、难以置信，还有一丝不易察觉的敬佩。就连校长王恩哥，都缓缓坐直了身体，眼神中带著审视和讚许，重新打量著这个年轻的博士生。
周文渊主任也皱起了眉头，手指轻轻敲击著桌面，陷入了沉思。
他原本以为韩靖只是一时衝动，或者说出来的答案只是一些粗略的方向，可李暉的认可，还有韩靖精准具体的工艺拆解，都让他不得不重新评估这个年轻人——或许，这个博士生，真的有能力接手kl-02项目？
所有人都下意识的看向了韩靖，一个博士生，真的拿出了kl-02在28nm工艺下的沟道掺杂浓度偏移问题的解决方案？
这怎么可能！？
会议桌对面，刚刚还一脸看戏篤定了韩靖不可能回答得上来这个问题的赵知许张了张嘴，脸色青一阵白一阵。
他很想说你在扯淡，真要这么容易解决，他们早就搞定了。
但李暉的佐证却让他无法反驳。
毕竟真要说，李暉在kl-02微型晶片上的研究確实远超出他，尤其是在晶片参杂工艺这一块。
会议室中，在李暉佐证了韩靖的解决方案，確认这条路线真的可信后，校长王恩哥深深看了韩靖一眼，周文渊主任的眼中闪过一丝惊讶和某种重新评估的神色。
而韩靖没有丝毫退缩，他迎著所有人质疑的目光，脊背挺得笔直，眼神坚定如铁地开口道。
“校长，周主任，我理解学校的难处，让一位博士生牵头kl-02微型晶片项目的研发的確不符合规定。”
“但规定是可以变通的，我有一个请求。”
“什么请求？”周文渊敲了敲桌子，开口问道。
韩靖刚刚的表现確实惊艷到了他，所以他愿意听听他的想法。
“给我三天时间！”
韩靖开口说道：“我可以在实验室里用现有设备，解决kl-02在28nm工艺下的沟道掺杂浓度偏移难题！”
“三天后，如果我拿不出让学校和研发中心信服的结果，我放弃一切诉求，服从学校安排。”
话音落下，会议室里再次安静下来。
一个博士生，给自己下了军令状，三天的时间解决kl-02在28nm工艺下的沟道掺杂浓度偏移难题？
这可能吗？
要知道，这可是陈维德教授耗费了小半年时间都没有找到解决方案的难题。
会议室中，周文渊盯著韩靖看了很久，终於缓缓点头：“好。三天。我给你这个证明自己的机会。”
“但如果三天后你没有解决这个难题，那以后就听从学院的安排，安心完成自己的毕业论文，不要再提接手项目的事情！”
三天的时间，他觉得可以尝试一下，如果真要能做到，他也不介意帮一把，尝试去和飞思卡尔公司那边沟通一下。
“可以。”
韩靖毫不犹豫地答应了，他看了一眼脑海中那个淡蓝色的系统面板。
他需要的，只是时间！
三天？
足够了。