第57章 700纳米（1/2）

对於亚微米级特徵尺寸的集成电路，普通的光学显微镜已经力有不逮，要使用测量型比长仪。

在各种科研活动中，像比长仪这样的高精度测量仪器是必不可少的，又比如雷射干涉仪，这是光刻机研发所需的基础工具，所以他们研究所一开始就设立了研发各种测量仪器的实验室，几年下来成果斐然。

如今，他们的测量仪器不仅自己用，还提供给了很多科研单位，帮了兄弟单位不少忙。

而测量型比长仪，跟投影式光刻机是同一时间立的项，歷经两年，在去年年底才完成了研发工作。

值得一提的是，比长仪也分不同类型的，早期的是传统光学比长仪，但其高度依赖人工操作，测量精度还是微米级別，显然不可能测量亚微米级別的尺寸。

於是立项之初，徐卫国就直接瞄准了更先进的雷射比长仪，其测量精度可达纳米级。

只是，这项技术是要以雷射干涉仪技术为前提的，而立项之初，雷射干涉仪还没搞出来呢！

徐卫国只能一边指导团队成员先进行预研，攻克一些边缘性的技术，一边亲自下场加快雷射干涉仪的研发。

直到一年半前雷射干涉仪搞出来，雷射比长仪的研发才进入快车道。

但即使如此，研发过程也很艰难，在徐卫国的帮助下还是花了这么久，其复杂度可见一斑。

徐卫国拿著新鲜出炉的集成电路，交给了雷射比长仪的操作员。

操作员接过来，將其固定在比长仪的精密移动工作檯上。

隨后，使用光电显微镜进行自动瞄准，接著调节光路。

然后操作员需要根据实测的环境温度、气压、湿度手动计算进行空气折射率补偿，最后启动伺服电机，使其平稳的移动工作檯。

过了不久，测量结果出来了，直接显示在旁边的一台计算机上。

徐卫国立刻走上前，观看结果。

0.7微米！

也就是700纳米。

徐卫国鬆了口气，跟设计指標一致。

当然，这还远没有达到步进式光刻机的性能极限，限制因素就是他们的精密加工技术水平不够。

这个没办法，精密加工技术不是懂一些知识就能提高的，必须得在实践中慢慢积累，一点点提升。

不过，需求本来就是技术进步最好的催化剂，只要持续不断的投入尝试，总会慢慢往前走的。

700纳米特徵尺寸，这比上一代集成电路又前进了一大步！不，是往前飞了一大段。